T. Shibata and T. Ohmi: "An intelligent MOS transistor featuring gate-level weighted-sum and threshold operations" Technical Digest, International Electron Devices Meeting 1991, Washington D. C.919-922 (1991)
T. Shibata and T. Ohmi: "An intelligent MOS transistor featuring gate-level weighted-sum and threshold operations" Technical Digest, International Electron Devices Meeting 1991, Washington D. C.919-922 (1991)
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T. Shibata 和 T. Ohmi：“具有门级加权和和阈值操作的智能 MOS 晶体管”技术文摘，1991 年国际电子器件会议，华盛顿特区 C.919-922 (1991)
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