Interfacial nanostructure and electrical properties of Ti3SiC2 contact on p-type gallium nitride
Interfacial nanostructure and electrical properties of Ti3SiC2 contact on p-type gallium nitride
复制标题
p型氮化镓上Ti3SiC2接触的界面纳米结构和电学性能
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Maeda and Y. Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Aiman b. M. H.;M. Maeda and Y. Takahashi
