Ultraflexible organic field-effect transistors embedded at a neutral strain position
Ultraflexible organic field-effect transistors embedded at a neutral strain position
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DOI：
10.1063/1.2115075
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发表时间：
2005-10-24
影响因子：
4
通讯作者：
Sakurai, T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sekitani, T;Iba, S;Sakurai, T
我们制造了迁移率为 0.5 cm(2)/V s 和开/关比为 10(5) 的超柔性并五苯场效应晶体管 (FET)，其可在弯曲半径小于 1 mm 的情况下工作。晶体管在13μm厚的聚酰亚胺薄膜上制造，并覆盖有13μm厚的聚氯对二甲苯封装层，以便晶体管可以嵌入在中性位置。这种夹层结构可以极大地抑制应变引起的晶体管特性变化。此外，在 60 000 次弯曲循环后，FET 的向内和向外弯曲应力没有表现出显着变化。 (C) 2005 年美国物理研究所。
We fabricated ultraflexible pentacene field-effect transistors (FETs) with a mobility of 0.5 cm(2)/V s and an on/off ratio of 10(5), which are functional at the bending radius less than 1 mm. The transistors are manufactured on a 13-mu m-thick polyimide film and covered by a 13-mu m-thick poly-chloro-para-xylylene encapsulation layer so that transistors can be embedded at a neutral position. This sandwiched structure can drastically suppress strain-induced changes in transistor characteristics. Furthermore, the FETs show no significant change after bending cycles of 60 000 times on inward and outward bending stresses. (C) 2005 American Institute of Physics.