Effective work function modulation of TaN metal gate on HfO_2 after post-metalization annealing
Effective work function modulation of TaN metal gate on HfO_2 after post-metalization annealing
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金属化后退火后 HfO_2 上 TaN 金属栅极的有效功函数调制
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Nakasluma
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Sugimoto;M.Kajiwara;K.Yamamoto;Y.Suehiro;D.Wang;H.Nakasluma
