Co-Sputtered Monocrystalline GeSn for Infrared Photodetection

Co-Sputtered Monocrystalline GeSn for Infrared Photodetection
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用于红外光电探测的共溅射单晶 GeSn

DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
Scalable Uncertainty Management
影响因子：
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通讯作者：
A. Fontcuberta i Morral
A. Fontcuberta i Morral
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
A. Giunto;Nicolas Humblot;L. Burnier;A. Krammer;A. Schüler;A. Fontcuberta i Morral

文献摘要

被引文献

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我们展示了通过共溅射在Ge和Si衬底上生长GeSn单晶。我们讨论了薄膜生长随厚度的演变，阐明了衬底温度，溅射源的影响，以及在等离子体中的氢稀释的重要性。
We demonstrate monocrystalline growth of GeSn on Ge and Si substrates by co-sputtering. We discuss the evolution of film growth with thickness, elucidating the effects of substrate temperature, sputtering source, and the importance of hydrogen dilution in the plasma.