Detection of Charge Traps in Silicon Nanowire MOSFETs Using Transient Current Measurements
Detection of Charge Traps in Silicon Nanowire MOSFETs Using Transient Current Measurements
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使用瞬态电流测量检测硅纳米线 MOSFET 中的电荷陷阱
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Boyang Cui
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐藤基;居村岳広;藤本博志;Boyang Cui
