Fabrication technique for GaInAsP/InP quantum wire structure by LP-MOVPE
Fabrication technique for GaInAsP/InP quantum wire structure by LP-MOVPE
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LP-MOVPE制备GaInAsP/InP量子线结构技术
DOI：
10.1016/0022-0248(88)90554-4
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发表时间：
1988
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Furuya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Daste;Y. Miyake;M. Cao;Y. Miyamoto;S. Arai;Y. Suematsu;K. Furuya
影响因子：
4
作者：
ARAKAWA, Y;SAKAKI, H
通讯作者：
SAKAKI, H