K.Fujinaga: "MOSFET Evaluation of ultraclean-CVD Si and SiGe grown at 550℃ on SIMOX."The Electrochem.Soc.Proc.. Vol.2000-1(in print). (2000)
K.Fujinaga: "MOSFET Evaluation of ultraclean-CVD Si and SiGe grown at 550℃ on SIMOX."The Electrochem.Soc.Proc.. Vol.2000-1(in print). (2000)
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K.Fujinaga：“550℃ SIMOX 上生长的超洁净 CVD Si 和 SiGe 的 MOSFET 评估”。Electrochem.Soc.Proc.。Vol.2000-1（印刷中）。
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