Kinetically controlled growth of uniform (6√3×6√3) R30° graphene precursor layer on 4H-SiC (0001)
Kinetically controlled growth of uniform (6√3×6√3) R30° graphene precursor layer on 4H-SiC (0001)
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4H-SiC 上均匀 (6√3×6√3) R30° 石墨烯前驱体层的动力学控制生长 (0001)
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kaneko
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daichi Dojima;Yasunori Kutsuma;Koji Ashida;T. Kaneko
