A study on barrier height of AuAlxGa1 − xN Schottky diodes in the range 0 ≤ x ≤ 0.20
A study on barrier height of AuAlxGa1 − xN Schottky diodes in the range 0 ≤ x ≤ 0.20
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AuAlxGa1−xN 肖特基二极管势垒高度在 0 ≤ x ≤ 0.20 范围内的研究
DOI：
10.1016/s0038-1101(96)00231-6
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发表时间：
1997
影响因子：
1.7
通讯作者：
N. Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mohammad Rezaul Huque Khan;H. Nakayama;T. Detchprohm;K. Hiramatsu;N. Sawaki
