MoS2 negative-capacitance transistors with steep slope and negligible hysteresis by using monolayer Al1-xZrxOy as gate dielectric plus NH3-plasma treatment
MoS2 negative-capacitance transistors with steep slope and negligible hysteresis by using monolayer Al1-xZrxOy as gate dielectric plus NH3-plasma treatment
复制标题
DOI：
--
复制
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jingping Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xingjuan Song;Lu Liu;Jingping Xu
