<span style="color:#3C3B3A;font-family:Verdana, Tahoma, &#39;line-height:19.2000007629395px;background-color:#FFFFFF;">Anomalous and highly-efficient InAs nanowire phototransistors based on majority carrier transport at room temperatur
<span style="color:#3C3B3A;font-family:Verdana, Tahoma, &#39;line-height:19.2000007629395px;background-color:#FFFFFF;">Anomalous and highly-efficient InAs nanowire phototransistors based on majority carrier transport at room temperatur
复制标题
DOI：
--
复制
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. P. Yip;J. C. Ho;J. S. Miao;Z. Zhang;J. Zou;T. Jiang;S. W. Wu;X. S. Chen;W. Lu;
