C-V characterization of ALD-Al_2O_3 insulated gates on AlGaN/GaN structure
C-V characterization of ALD-Al_2O_3 insulated gates on AlGaN/GaN structure
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AlGaN/GaN 结构上 ALD-Al_2O_3 绝缘栅的 C-V 表征
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.Mizue;T.Hashizume
