On the Origin of Increase in Substrate Current and Impact lonization Efficiency in Strained Si n-and p-MOSFETs
On the Origin of Increase in Substrate Current and Impact lonization Efficiency in Strained Si n-and p-MOSFETs
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关于应变 Si n-和 p-MOSFET 中衬底电流增加和影响离子化效率的根源
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Sugiyama and S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Irisawa;T.Numata;N.Sugiyama and S.Takagi
