8.1 μ m-emitting InP-based quantum cascade laser grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition
8.1 μ m-emitting InP-based quantum cascade laser grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition
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通过金属有机化学气相沉积在硅上生长的 8.1 μm 发射 InP 基量子级联激光器
DOI：
10.1063/5.0155202
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发表时间：
2023
影响因子：
4
通讯作者：
Mawst, L. J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu, S.;Zhang, S.;Kirch, J. D.;Gao, H.;Wang, Y.;Lee, M. L.;Tatavarti, S. R.;Botez, D.;Mawst, L. J.
