Effects of fabrication processes on electrical properties of Al_2_O_3/n-GaN structures prepared by atomic layer deposition
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制备工艺对原子层沉积Al_2_O_3/n-GaN结构电学性能的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Hashizume
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Hori;T.Hashizume
