Step wandering on Si(111) vicinal face near the 1×1〓7×7 transition temperature with drift of adatoms parallel to steps
Step wandering on Si(111) vicinal face near the 1×1〓7×7 transition temperature with drift of adatoms parallel to steps
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在 1×1〓7×7 转变温度附近的 Si(111) 邻面上的阶跃漂移，吸附原子平行于阶跃漂移
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masahide Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kenta Ikawa;Masahide Sato
