Steep-Slope Transistors Based on 2D Semiconductors Contacted with the Phase-Change Material VO2
Steep-Slope Transistors Based on 2D Semiconductors Contacted with the Phase-Change Material VO2
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基于与相变材料 VO2 接触的二维半导体的陡坡晶体管
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hidekazu Tanaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mahito Yamamoto,Teruo Kanki;Azusa Hattori;Ryo Nouchi;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Keiji Ueno;Hidekazu Tanaka
