X線マイクロビームによるGaN基板上InGaN系デバイスの評価
X線マイクロビームによるGaN基板上InGaN系デバイスの評価
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使用 X 射线微束评估 GaN 衬底上的 InGaN 器件
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
横川 俊哉，栫 拓也，今井 康彦，木村 滋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
江島丈雄;廣瀬遼一;加道雅孝;石野雅彦;青山雅人;安田恵子;保智己;Y.Honda;田尻 寛男，今井 康彦;江島丈雄;横川 俊哉，栫 拓也，今井 康彦，木村 滋
