Structure variations within RSi2 and R 2Si3 silicides. Part II. Structure driving factors

Structure variations within RSi2 and R 2Si3 silicides. Part II. Structure driving factors
复制标题

DOI：
10.1107/s2052520620003893
复制
发表时间：
2020-05
期刊：
Acta Crystallographica Section B, Structural Science, Crystal Engineering and Materials
影响因子：
--
通讯作者：
M. Nentwich;M. Zschornak;Maximilian Sonntag;R. Gumeniuk;S. Gemming;S. Gemming;T. Leisegang;D. Meyer-D.-M
M. Nentwich;M. Zschornak;Maximilian Sonntag;R. Gumeniuk;S. Gemming;S. Gemming;T. Leisegang;D. Meyer-D.-M
中科院分区：
其他
文献类型：
--
作者：
M. Nentwich;M. Zschornak;Maximilian Sonntag;R. Gumeniuk;S. Gemming;S. Gemming;T. Leisegang;D. Meyer-D.-M

文献摘要

相似文献

大多数关于RSi 2和R2 TSi 3化合物的文章只对一种特定的化合物或一系列具有不同T元素的化合物感兴趣，而保持R固定（反之亦然）。在这里，重点在于2：1：3和1：2硅化物的完整空间，讨论各种晶体学性质和形成不同的对称性和超结构的原因。
Most articles dealing with RSi2 and R 2 TSi3 compounds are only interested in one specific compound or in a series of compounds with varying T elements while keeping R fixed (or vice versa). Here, the focus lies on the complete space of 2:1:3 and 1:2 silicides, discussing various crystallographic properties and reasons for the formation of the different symmetries and superstructures.