N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique
N-Type Doping of 4H-SiC by the Top-Seeded Solution Growth Technique
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顶晶溶液生长技术对 4H-SiC 进行 N 型掺杂
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kusunoki;K. Kamei;K. Seki;S. Harada;and T. Ujihara
