Compact Reliability Model for Degradation in p-MOSFETs Induced by NBTI and Channel Hot Carrier Effect
Compact Reliability Model for Degradation in p-MOSFETs Induced by NBTI and Channel Hot Carrier Effect
复制标题
NBTI 和沟道热载流子效应引起的 p-MOSFET 退化的紧凑可靠性模型
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Miura-Mattausch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Ma;H. J. Mattausch;M. Miyake;T. Iizuka;K. Matsuzawa;S. Yamaguchi;T. Hoshida;M. Imade;R. Koh;T. Arakawa;J. He;M. Miura-Mattausch
