Fabrication of silicon slot waveguides with 10nm wide oxide slot
Fabrication of silicon slot waveguides with 10nm wide oxide slot
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具有10nm宽氧化物槽的硅槽波导的制造
DOI：
10.1109/group4.2017.8082184
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Saito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Debnath;A. Khokhar;G. Reed;S. Saito
我们提出并演示了一种在硅波导中实现极窄介电槽的制造技术。使用这种方法，我们展示了具有 10 nm 介电槽的硅槽波导，测得的传播损耗为 13.6 dB/cm。
We propose and demonstrate a fabrication technique to realize extremely narrow dielectric slots in silicon waveguides. Using this method, we have demonstrated a silicon slot waveguide with 10 nm dielectric slot with a measured propagation loss of 13.6 dB/cm.