Resonant spin amplification in n-type GaAs
Resonant spin amplification in n-type GaAs
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DOI：
10.1103/physrevlett.80.4313
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发表时间：
1998-05-11
影响因子：
8.6
通讯作者：
Awschalom, DD
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kikkawa, JM;Awschalom, DD
n 型 GaAs 体半导体中扩展的电子自旋进动可以通过 Voigt 几何中的飞秒时间分辨法拉第旋转直接观察到。自旋系统的同步光泵浦放大并维持自旋运动，暴露出自旋寿命在低场下增加十倍并在零场下超过 100 ns 的状态。对场和温度的精确研究为相关电子弛豫机制提供了线索，表明对掺杂浓度的强烈依赖性。
Extended electron spin precession in n-type GaAs bulk semiconductors is directly observed by femtosecond time-resolved Faraday rotation in the Voigt geometry. Synchronous optical pumping of the spin system amplifies and sustains spin motion, exposing a regime where spin lifetimes increase tenfold at low fields and exceed 100 ns at zero field. Precise studies in field and temperature provide clues to the relevant electron relaxation mechanisms, indicating a strong dependence on doping concentration.