Dicarbon antisite defect in n-type 4H-SiC
Dicarbon antisite defect in n-type 4H-SiC
复制标题
n型4H-SiC中的二碳反位缺陷
DOI：
10.1103/physrevb.79.115211
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发表时间：
2009
影响因子：
3.7
通讯作者：
Á. Gali
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Umeda;J. Isoya;N. Morishita;T. Ohshima;E. Janzén;Á. Gali
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