Structural and electrical characterization of epitaxial 4H–SiC layers for power electronic device applications
Structural and electrical characterization of epitaxial 4H–SiC layers for power electronic device applications
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用于电力电子器件应用的外延 4H-SiC 层的结构和电气特性
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
L. Polenta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
L. Scaltrito;S. Porro;M. Cocuzza;F. Giorgis;C. Pirri;P. Mandracci;C. Ricciardi;S. Ferrero;C. Sgorlon;G. Richieri;L. Merlin;A. Castaldini;A. Cavallini;L. Polenta
