Electrically controlled pinning of Dzyaloshinskii-Moriya domain walls
Electrically controlled pinning of Dzyaloshinskii-Moriya domain walls
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DOI：
10.1063/1.4944664
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发表时间：
2015-07
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Koji Sato;O. Tretiakov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Koji Sato;O. Tretiakov
我们提出了一种方法来全电控制的畴壁位置的铁磁纳米线与Dzyaloshinskiii-Moriya相互作用。这种相互作用的强度可以通过外部电场来控制，这反过来又允许微调自旋螺旋畴壁的钉扎电位。它允许创建更多的移动的钉扎位点，并且对于超低功率电子器件也可以是有利的。
We propose a method to all-electrically control a domain-wall position in a ferromagnetic nanowire with Dzyaloshinskii-Moriya interaction. The strength of this interaction can be controlled by an external electric field, which in turn allows a fine tuning of the pinning potential of a spin-spiral domain wall. It allows to create more mobile pinning sites and can also be advantageous for ultra-low power electronics.