Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC
Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC
复制标题
Al离子注入对n型4H-SiC深层缺陷形成的影响
DOI：
10.1109/iit.2018.8807980
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
L.Frey
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Weiße;C. Csato;M. Hauck;J. Erlekampf;S. Akhmadaliev;M. Rommel;H. Mitlehner;M. Rüb;M. Krieger;A. Bauer;V. Häublein;T. Erlbacher;L.Frey
