Physical and Electrical Characterization of HfSix/HfO2 Gate Stacks for High-Performance nMOSFET Application

Physical and Electrical Characterization of HfSix/HfO2 Gate Stacks for High-Performance nMOSFET Application
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用于高性能 nMOSFET 应用的 HfSix/HfO2 栅极堆栈的物理和电气特性

DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Abstracts of 37th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
影响因子：
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通讯作者：
S.Yoshida
S.Yoshida
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
尾崎 哲;他;H.Watanabe;S.Horie;H.Watanabe;S.Yoshida

文献摘要

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