基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
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DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
恩云飞
中科院分区：
文献类型：
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作者：
彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;黄云;恩云飞
