Schottky barrier characteristics of ternary silicide Co1-xNixSi2 on n-Si(100) contacts formed by solid phase reaction of multilayer
Schottky barrier characteristics of ternary silicide Co1-xNixSi2 on n-Si(100) contacts formed by solid phase reaction of multilayer
复制标题
多层固相反应形成的n-Si(100)接触上三元硅化物Co1-xNixSi2的肖特基势垒特性
DOI：
10.1016/j.sse.2004.02.006
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Bingzong Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shiyang Zhu;R. Meirhaeghe;S. Forment;G. Ru;X. Qu;Bingzong Li
