Reactive ion etching of copper in SiCl4‐based plasmas
Reactive ion etching of copper in SiCl4‐based plasmas
复制标题
SiCl4 等离子体中铜的反应离子蚀刻
DOI：
10.1063/1.106299
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发表时间：
1991
影响因子：
4
通讯作者：
C. Steinbrüchel
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
B. J. Howard;C. Steinbrüchel
如果可以在可制造工艺中通过干法蚀刻来图案化Cu，则铜可以成为铝的替代物，作为超大规模集成多级金属化方案中的互连材料。在这里，我们报告的结果在SiCl 4/Ar和SiCl 4/N2等离子体中的反应离子蚀刻的Cu。蚀刻已被研究作为气体成分，压力和衬底温度的函数。我们已经获得了高达850埃/分钟的蚀刻速率使用SiCl 4/N2和基板温度为220 °C，具有优异的蚀刻选择性的铜相对于聚酰亚胺和SiO2。我们证明了使用聚酰亚胺作为高温蚀刻掩模来各向异性地图案化Cu是可行的。
Copper may become an alternative to aluminum as an interconnect material in ultralarge scale integration multilevel metallization schemes if it is possible to pattern Cu by dry etching in a manufacturable process. Here we report results on the reactive ion etching of Cu in SiCl4/Ar and SiCl4/N2 plasmas. Etching has been investigated as a function of gas composition, pressure, and substrate temperature. We have obtained etch rates as high as 850 A/min using SiCl4/N2 and a substrate temperature of ∼ 220 °C, with excellent etch selectivity of Cu relative to polyimide and SiO2. We demonstrate that it is feasible to pattern Cu anisotropically using polyimide as a high‐temperature etch mask.