Metamorphic Integration of GaInAsSb Material on GaAs Substrates for Light Emitting Device Applications.
Metamorphic Integration of GaInAsSb Material on GaAs Substrates for Light Emitting Device Applications.
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用于发光器件应用的 GaAs 衬底上 GaInAsSb 材料的变质集成。
DOI：
10.3390/ma12111743
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Lu Q
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lu Q
