AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed source/drain Ohmic contact
AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with recessed source/drain Ohmic contact
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具有凹进源极/漏极欧姆接触的 AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMT
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Terada and T. Egawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. L. Selvaraj;T. Ito;Y. Terada and T. Egawa
