Single-electron tunneling via molecular quantum dots in a silicon-based device configuration

Single-electron tunneling via molecular quantum dots in a silicon-based device configuration
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在硅基器件配置中通过分子量子点实现单电子隧道效应

DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
Ryoma Hayakawa
Ryoma Hayakawa
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
Y.Liu;T.Yatsui;T.Kawazoe;M.Ohtsu;Ryoma Hayakawa

文献摘要

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