Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAM
Inverse-magnetostriction-induced switching current reduction of STT-MTJs and its application for low-voltage MRAM
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STT-MTJ 的逆磁致伸缩引起的开关电流降低及其在低压 MRAM 中的应用
DOI：
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发表时间：
2017
影响因子：
1.7
通讯作者：
S. Sugahara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Takamura;Y. Shuto;S. Yamamoto;H. Funakubo;M. K. Kurosawa;S. Nakagawa;S. Sugahara
