Laser writing of the electronic activity of N- and H-atoms in GaAs
Laser writing of the electronic activity of N- and H-atoms in GaAs
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GaAs 中 N 原子和 H 原子电子活性的激光写入
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Rubini
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Balakrishnan;A. Patané;O. Makarovsky;A. Polimeni;M. Capizzi;F. Martelli;S. Rubini
我们用聚焦激光束来控制稀氮化物Ga（AsN）/GaAs量子阱中N原子和H原子的电子活动。我们的方法产生亚微米分辨率的电子特性的空间操作，并可以提供一种替代方法，掩蔽技术的H-缺陷工程和平面图案的带隙能量。
We use a focussed laser beam to control the electronic activity of N- and H-atoms in a dilute nitride Ga(AsN)/GaAs quantum well. Our approach yields submicron resolution in the spatial manipulation of the electronic properties and can provide an alternative method to masking techniques for H-defect engineering and in-plane patterning of the band gap energy.