正向偏置(p)SiC/(n)GaN异质结构稳态导电特性的模拟
正向偏置(p)SiC/(n)GaN异质结构稳态导电特性的模拟
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DOI：
10.3875/j.issn.1674-3563.2019.04.006
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
何明昌
中科院分区：
文献类型：
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作者：
张锦涛;赵少云;韦文生;郑君鼎;何明昌
