P-type In x Ga 1−x N semibulk templates (0.02 19 cm −3 and device quality surface morphology
P-type In x Ga 1−x N semibulk templates (0.02 19 cm −3 and device quality surface morphology
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P型In x Ga 1×N半块状模板（0.02 19 cm×3和器件质量表面形貌
DOI：
10.1063/5.0065194
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发表时间：
2021
影响因子：
4
通讯作者：
Bedair, S. M.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Routh, Evyn L.;Abdelhamid, Mostafa;Colter, Peter;El-Masry, N. A.;Bedair, S. M.
