Capacitive coupling induced Kondo–Fano interference in side-coupled double quantum dots
Capacitive coupling induced Kondo–Fano interference in side-coupled double quantum dots
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侧耦合双量子点中电容耦合引起的近藤法诺干涉
DOI：
10.1088/1674-1056/ab8ac1
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发表时间：
2020-06
影响因子：
1.7
通讯作者：
Yan Yijing
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun Fuli;Wang Yu;ong;Wei Jianhua;Yan Yijing
我们通过基于运动方程的层级评估系统地研究其低温特性，报道了在双量子点（DQD）中电容耦合诱导的近藤 - 法诺（K - F）干涉。我们表明，量子点间的电容耦合\(U_{12}\)将量子点1（QD1）中的单占据（S - O）态分裂为三个准粒子子态：未移动的\(S - O_0\)子态，以及升高的\(S - O_1\)和\(S - O_2\)子态。随着\(U_{12}\)增加，\(S - O_2\)和\(S - O_1\)依次穿过费米能级（\(\omega = 0\)）处的近藤共振态，导致了所谓的近藤 - I（KI）、K - F和近藤 - II（KII）区域。虽然KI和KII区域都具有常规的近藤共振特性，但在K - F区域显示出显著的近藤 - 法诺干涉特征。从散射的角度来看，我们提出相移\(\eta(\omega)\)适合用于分析近藤 - 法诺干涉。我们提出了一种计算\(\eta(\omega)\)的通用方法，并将其应用于K - F区域的双量子点，其中\(\eta(\omega = 0)\)的两个极大值分别表征了近藤共振态与\(S - O_2\)和\(S - O_1\)子态之间的干涉。
We report capacitive coupling induced Kondo–Fano (K–F) interference in a double quantum dot (DQD) by systematically investigating its low-temperature properties on the basis of hierarchical equations of motion evaluations.We show that the interdot capacitive coupling U_(12) splits the singly-occupied (S-O) state in quantum dot 1 (QD1) into three quasi-particle substates:the unshifted S-O_0 substate,and elevated S-O_1 and S-O_2.As U_(12) increases,S-O_2 and S-O_1 successively cross through the Kondo resonance state at the Fermi level (ω = 0),resulting in the so-called Kondo-I (KI),K–F,and Kondo-II (KII) regimes.While both the KI and KII regimes have the conventional Kondo resonance properties,remarkable Kondo– Fano interference features are shown in the K–F regime.In the view of scattering,we propose that the phase shift η(ω) is suitable for analysis of the Kondo–Fano interference.We present a general approach for calculating η(ω) and applying it to the DQD in the K–F regime where the two maxima of η(ω = 0) characterize the interferences between the Kondo resonance state and S-O_2 and S-O_1 substates,respectively.
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DOI：
10.1016/s1386-9477(02)00876-7
发表时间：
2003-04
影响因子：
3.3
作者：
I. H. Chan;P. Fallahi;R. Westervelt;K. Maranowski;A. Gossard
通讯作者：
I. H. Chan;P. Fallahi;R. Westervelt;K. Maranowski;A. Gossard
影响因子：
8.6
作者：
D. McClure;L. DiCarlo;Y. Zhang;H. Engel;C. Marcus;M. Hanson;A. Gossard
通讯作者：
D. McClure;L. DiCarlo;Y. Zhang;H. Engel;C. Marcus;M. Hanson;A. Gossard
影响因子：
3.7
作者：
D. Ruiz-Tijerina;E. Vernek;S. Ulloa
通讯作者：
D. Ruiz-Tijerina;E. Vernek;S. Ulloa
影响因子：
3
作者：
FEYNMAN, RP;VERNON, FL
通讯作者：
VERNON, FL
影响因子：
1.6
作者：
B. Hobvtić;V. Zlatić
通讯作者：
B. Hobvtić;V. Zlatić