Suppressing on-chip electromagnetic crosstalk for spin qubit devices
Suppressing on-chip electromagnetic crosstalk for spin qubit devices
复制标题
抑制自旋量子位器件的片上电磁串扰
DOI：
10.1063/1.4752863
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
A. Gossard
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Blanvillain;J. Colless;D. Reilly;Hong Lu;A. Gossard
我们报告的发展和性能的芯片上的互连设计，以抑制电磁串扰的自旋量子位器件架构与大量的多量子位操作所需的栅电极。我们的设计提高了性能的典型器件互连通过使用的欧姆接触和散置接地保护。低温测量和数值模拟证实，控制和读出信号串扰可以被抑制到1%的水平，从直流到1 GHz。
We report the development and performance of on-chip interconnects designed to suppress electromagnetic crosstalk in spin qubit device architectures with the large number of gate electrodes needed for multi-qubit operation. Our design improves the performance of typical device interconnects via the use of miniaturised ohmic contacts and interspersed ground guards. Low-temperature measurements and numerical simulation confirm that control and readout signal crosstalk can be suppressed to levels of order 1%, from dc to 1 GHz.
影响因子：
19.6
作者：
Pioro-Ladriere, M.;Obata, T.;Tarucha, S.
通讯作者：
Tarucha, S.
影响因子：
56.9
作者：
Petta, JR;Johnson, AC;Gossard, AC
通讯作者：
Gossard, AC