直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQWレーザの井戸層厚と閾値電流密度に関する検討
直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQWレーザの井戸層厚と閾値電流密度に関する検討
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直贴InP/Si衬底上GaInAsP SCH-MQW激光器的阱层厚度和阈值电流密度研究
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
下村和彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
矢田涼介;阿形幸二;趙亮，伊藤慎吾，青木彩絵;下村和彦
