High-speed and Non-volatile Memory Devices Using Macroscopic Polarized Stack of Double Floating Gates Interconnected with Engineered Tunnel Oxide Barrier
High-speed and Non-volatile Memory Devices Using Macroscopic Polarized Stack of Double Floating Gates Interconnected with Engineered Tunnel Oxide Barrier
复制标题
使用与工程隧道氧化势垒互连的宏观极化双浮栅堆栈的高速非易失性存储器件
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yoshishige Tsuchiya;et. al.
