Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
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GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Motoyama;Z. Yatabe;Y. Nakamura;A. Baratov;R. S. Low;S. Urano;J. T. Asubar;M. Kuzuhara
