Growth of Free Standing Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Growth of Free Standing Semipolar GaN on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
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通过氢化物气相外延在图案化蓝宝石衬底上生长独立式半极性 GaN
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Tadatomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kasahara;R.;横井裕一,樋口剛;Shao Huaiyu;K. Tadatomo
