Low temperature formation of Ge(111)/Au/SiO2 by two step annealing
Low temperature formation of Ge(111)/Au/SiO2 by two step annealing
复制标题
两步退火低温形成Ge(111)/Au/SiO2
DOI：
--
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
角田功
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
清水昇;森貴礼;高倉健一郎;角田功
