層交換Geシード技術を活用した疑似単結晶GaAs薄膜の絶縁基板上合成
層交換Geシード技術を活用した疑似単結晶GaAs薄膜の絶縁基板上合成
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采用层交换Ge籽晶技术在绝缘衬底上合成赝单晶GaAs薄膜
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
都甲 薫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
西田 竹志;末益 崇;都甲 薫
