Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy
Near-interface border traps characterization for GeO2/Ge gate stacks grown by low and high temperature thermal oxidation by using deep-level transient spectroscopy
复制标题
使用深能级瞬态光谱对低温和高温热氧化生长的 GeO2/Ge 栅堆叠进行近界面边界陷阱表征
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
W. -C. Wen;T. Sakaguchi;K. Yamamoto;D. Wang;and H. Nakashima
