Lattice Absorption Bands in Silicon
Lattice Absorption Bands in Silicon
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硅中的晶格吸收带
DOI：
10.1088/0370-1328/73/2/315
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发表时间：
1959
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. A. Johnson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. A. Johnson
对纯真空生长硅晶体在 2 μ 至 30 μ 波长范围内以及 20°k 至 365°k 温度范围内的吸收光谱进行了一系列详细测量。发现了一些新的吸收带，并根据涉及能量对应于 200、480、595 和 695°k 温度的声子的多重声子相互作用，对所有主吸收峰的位置和温度依赖性提供了解释。
A series of detailed measurements have been made of the absorption spectrum of pure vacuum grown crystals of silicon in the wavelength range 2 μ to 30 μ, and over the temperature range 20°k to 365°k. Some new absorption bands have been found, and an explanation is offered for the positions and temperature dependence of all the principal absorption peaks in terms of multiple phonon interactions involving phonons with energies corresponding to temperatures of 200, 480, 595 and 695°k.