T.Tokuda, A.Wakahara, S.Noda, and A.Sasaki: "Substrate nitridation effect and low temperature growth of GaN on sapphire (0001) by plasma-excited organometallic vapor-phase epitaxy." J.Cryst.Growth. Vol.183. 62-68 (1998)
T.Tokuda, A.Wakahara, S.Noda, and A.Sasaki: "Substrate nitridation effect and low temperature growth of GaN on sapphire (0001) by plasma-excited organometallic vapor-phase epitaxy." J.Cryst.Growth. Vol.183. 62-68 (1998)
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T.Tokuda、A.Wakahara、S.Noda 和 A.Sasaki：“等离子体激发有机金属气相外延在蓝宝石 (0001) 上的衬底氮化效应和低温生长 GaN”。
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